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        紫外LED

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        紫外LED

        發布日期:2019-04-04 作者: 點擊:

        紫外LED一般指發光中心波長在400nm以下的LED,但有時將發光波長大于380nm時稱為近紫外LED,而短于300nm時稱為深紫外LED。因短波長光線的殺菌效果高,因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途


        產品方面,日亞化學工業上市了發光中心波長從365nm~385nm不等的品種,Nitride Semiconductor上市了發光中心波長為355nm~375nm不等的品種。uv膠水固化

        波長不足300nm的深紫外LED的開發活動也很活躍。2008年理化學研究所和松下電工曾公布,采用GaN類半導體的InAlGaN開發出了發光中心波長為282nm,光輸出功率為10mW的深紫外LED。波長更短的深紫外LED方面,NTT物性科學基礎研究所采用AlN材料開發出了發光中心波長為210nm的深紫外LED。uvled固化

        應用

        編輯

        紫外LED(UV LED)主要應用在生物醫療、防偽鑒定、凈化(水、空氣等)領域、計算機數據存儲和軍事等方面。而且隨著技術的發展,新的應用會不斷出現以替代原有的技術和產品,紫外LED有著廣闊的市場應用前景,如紫外LED光療儀是未來很受歡迎的醫療器械,但是目前技術還處于成長期。

        國內紫外LED的發展現狀

        “十一五”國家863計劃新材料技術領域重大項目“半導體照明工程”課題“深紫外LED 制備和應用技術研究”經過持續攻關,在高鋁組分材料研究和器件應用方面取得重要突破。

        半導體深紫外光源在照明、殺菌、醫療、印刷、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領域具有重大應用價值。以AlGaN材料為有源區的深紫外LED的發光波長能夠覆蓋210-365nm的紫外波段,是實現該波段深紫外LED器件產品的理想材料,具有其它傳統紫外光源無法比擬的優勢。

        在國家863計劃支持下,課題研究團隊集中開展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作,著重解決材料存在的表面裂紋、晶體質量差、鋁組分低、無法實現短波長發光和結構材料設計等問題,在一些關鍵技術方面取得了突破,獲得了高結晶質量無裂紋的高鋁組分材料。在此基礎上,課題在國內首次成功制備了300nm以下的深紫外LED器件,實現了器件的毫瓦級功率輸出,開發了深紫外殺菌模塊,經測試殺菌率達到95%以上。


        本文網址:http://www.e-dushku.com/news/478.html

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